通過自旋軌道感應(yīng)的扭矩切換磁性元件的能力近來引起了很多關(guān)注，有助于實現(xiàn)低功耗的高性能非易失性存儲器。要實現(xiàn)基于自旋軌道的有效切換，需要利用新材料和新穎的物理學手段來獲得高的電荷-自旋轉(zhuǎn)換效率，因此自旋源的選擇至關(guān)重要。

　　有鑒于此，近日，新加坡國立大學Hyunsoo Yang教授等報道了在與坡莫合金相鄰的1T'-MoTe2半金屬薄膜構(gòu)成的雙層中，自旋軌道轉(zhuǎn)矩(SOT)轉(zhuǎn)換的觀察。在室溫下無需外部磁場即可實現(xiàn)確定性轉(zhuǎn)換，并且轉(zhuǎn)換時的電流比使用性能最佳的重金屬器件中的典型電流小一個數(shù)量級。如果除了整體自旋霍爾效應(yīng)之外還考慮界面自旋軌道的貢獻，則可以理解其具有厚度依賴性的原因。借助于啞鈴形的磁性元件，開關(guān)電流進一步降低了三倍。本文的研究發(fā)現(xiàn)表明，MoTe2在低功率半金屬材料自旋器件領(lǐng)域中具有重要的應(yīng)用前景。

　　深圳市金鑫磁材有限公司致力于非晶、納米晶、坡莫合金磁芯產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,主營產(chǎn)品有：納米晶帶材、超微晶鐵芯、超微晶磁芯、坡莫合金磁芯、大功率變壓器鐵芯、納米晶磁環(huán)電感、取電磁環(huán)線圈、開合式互感器、共模電感線圈、精密電流互感器等產(chǎn)品具有良好的穩(wěn)定性以及高電性參數(shù)等優(yōu)點。

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